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GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化镓场效应管,采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术,开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。
近日,2021年4月27日:基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)今天宣布其第二代 650 V 功率 GaN FET 器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。 唯样商城作为Nexperia官方授权代理平台,拥有Nexperia的广泛产品,赶快前往选购。
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